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高效安裝X射線衍射儀:分享其前期準(zhǔn)備工作秘訣!
發(fā)布時(shí)間:2025-04-07

X射線衍射儀是一種利用X射線衍射原理來(lái)精確測(cè)定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)、織構(gòu)及應(yīng)力,進(jìn)行物相分析、定性分析、定量分析的儀器。其基本原理是:當(dāng)一束X射線照射到晶體物質(zhì)上時(shí),由于晶體是由原子規(guī)則排列成的晶胞組成,這些規(guī)則排列的原子間距離與入射X射線波長(zhǎng)有相同數(shù)量級(jí),故由不同原子散射的X射線相互...

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-04-01

    本文摘要納米氣泡的粒度表征,受限于其顆粒濃度低、粒徑分布寬等特點(diǎn),若使用動(dòng)態(tài)光散射(DLS)技術(shù)進(jìn)行測(cè)試,信號(hào)弱,數(shù)據(jù)質(zhì)量較差。本文將介紹利用納米顆粒跟蹤(NTA)技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)、可視化的納米氣泡顆粒表征,可以很好的應(yīng)對(duì)納米氣泡的特殊性,取得高分辨的粒度分布結(jié)果,并可以快速捕捉在不同條件下粒徑和濃度的變化,以研究納米氣泡的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。01丨背景介紹納米氣泡因其物理和化學(xué)特性,而廣泛應(yīng)用于水體修復(fù)、工業(yè)清洗、水產(chǎn)養(yǎng)殖、藥物傳遞、污水處理等領(lǐng)域。盡管納米氣泡的制備方法已相對(duì)成熟,但...

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-03-31

    納米顆粒跟蹤分析儀是一種先進(jìn)的儀器,用于對(duì)液體懸浮液中的納米顆粒進(jìn)行粒度分布和濃度分析。是利用光散射和布朗運(yùn)動(dòng)的原理,對(duì)懸浮液中的納米顆粒進(jìn)行追蹤和分析。當(dāng)激光束穿過(guò)樣品溶液時(shí),顆粒會(huì)散射光線,通過(guò)高靈敏度的光學(xué)顯微鏡收集這些散射光信號(hào),并觀察粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡?;诓祭蔬\(yùn)動(dòng)理論,利用Stokes-Einstein方程計(jì)算顆粒的流體力學(xué)半徑,從而得到粒度分布信息。納米顆粒跟蹤分析儀常見(jiàn)的問(wèn)題及對(duì)應(yīng)的解決方法:一、樣品制備相關(guān)問(wèn)題①問(wèn)題:樣品濃度過(guò)高或過(guò)低。表現(xiàn):如果樣品濃度過(guò)高,...

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-03-27

    納米粒度電位儀是一種在科研和工業(yè)領(lǐng)域廣泛使用的精密物理測(cè)量工具,能夠準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)別的顆粒大小和電位變化。其基于電學(xué)和納米技術(shù)的結(jié)合,通過(guò)電泳和沉降原理來(lái)測(cè)量顆粒的大小和電位。在電場(chǎng)作用下,顆粒會(huì)受到電場(chǎng)力的作用而發(fā)生移動(dòng),其移動(dòng)速度與顆粒的大小、形狀和電荷量有關(guān)。通過(guò)測(cè)量顆粒在電場(chǎng)中的移動(dòng)速度,可以推算出顆粒的大小和電位。具體來(lái)說(shuō),激光散射技術(shù)用于測(cè)量顆粒的尺寸分布,而電泳技術(shù)則用于測(cè)量顆粒的表面電荷性質(zhì),即Zeta電位。納米粒度電位儀其結(jié)構(gòu)主要包括以下幾個(gè)部分:1、光學(xué)系...

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-03-24

    微量熱差示掃描量熱儀是一種先進(jìn)的熱分析儀器,它在材料科學(xué)、化學(xué)、藥物研發(fā)、食品工業(yè)及能源領(lǐng)域等多個(gè)方面發(fā)揮著重要作用。其工作原理基于比較樣品與參比物在相同加熱或冷卻條件下的熱流差異。當(dāng)樣品發(fā)生物理或化學(xué)變化時(shí),如熔融、結(jié)晶、玻璃化轉(zhuǎn)變等,會(huì)吸收或釋放熱量,導(dǎo)致與參比物的熱流產(chǎn)生偏差。DSC通過(guò)精確測(cè)量這種偏差,并將其轉(zhuǎn)化為熱流隨溫度或時(shí)間變化的曲線,從而提供豐富的物質(zhì)信息。以下是關(guān)于微量熱差示掃描量熱儀結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說(shuō)明:一、主要組成部分1、傳感器單元測(cè)溫傳感器:通常采用高精度的...

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-03-21

    磨料用SiO2漿料的顆粒粒度對(duì)硅晶片的微觀形貌有直接影響,進(jìn)而會(huì)影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性;此外,漿料的穩(wěn)定性也會(huì)影響晶片拋光過(guò)程,所以磨料的顆粒表征非常重要,本文介紹了利用動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)(DLS)和電泳光散射技術(shù)(ELS)對(duì)硅基漿料的顆粒粒度和Zeta電位進(jìn)行表征的實(shí)驗(yàn)及結(jié)果討論。01丨背景介紹磨料漿液用于去除硅晶片表面的材料和不規(guī)則形貌。這樣做是為了在硅片表面形成附加電路元件。晶片的微觀形貌與所用漿料的粒度分布有關(guān),因?yàn)榱6葧?huì)影響隨后加工的電介質(zhì)膜的均勻性[1]。漿料...

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